上期我们介绍了清洗制绒的工艺流程和一些操作方法，本期「美能光伏」将给大家来分享在硅片清洗中，会用到的几种常见的化学清洗剂。

不同清洗剂的去污作用

1、硫酸

热的浓硫酸对有机物有强烈的脱水炭化作用，采用浓硫酸能有效去除硅片表面有机物;

2、王水

王水具有极强的氧化性、腐蚀性和强酸性，在清洗中主要利用王水的强氧化性;

王水能溶解金等不活泼金属是由于王水溶液中生成了氧化能力很强的初生态氯[CI]和氯化亚硝酰；

HNO3+HCI=NOCI+2[CI]+2H20

3、RCA洗液(碱性和酸性过氧化氢溶液)

RCA Ⅰ号(碱性过氧化氢溶液)，配比如下(体积比):

DI H2O:H2O2:NH4OH=5:1:1-5:2:1

作用机理:

有机物薄膜主要是通过H2O2的氧化以及NH4OH的溶解而得以去除。在高的PH条件下(如10、11)，H2O2是很强的氧化剂，使硅片表面发生氧化，而与此同时，NH4OH则慢慢地溶解所产生的氧化物。正是这种氧化-溶解，再氧化再溶解过程，SC Ⅰ洗液逐渐去除硅片表面的有机薄膜，硅片表面杂质微粒的去除也是基于这种原理。

RCA Ⅱ号(酸性过氧化氢溶液)，配比如下(体积比):

DI H2O:H2O2:HCl=6:1:1-8:2:1

RCA洗液使用方法:75-85℃，清洗时间10-20分钟，清洗顺序为先Ⅰ号后Ⅱ号。

作用机理:

SCⅡ洗液并不能腐蚀氧化层以及硅，经SCⅡ洗液处理，会在硅片表面产生一层氢化氧化层。SCⅡ洗液尽管可以有效去除硅片中的金属杂质离子，但是它并不能使硅片的表面粗糙程度得到改善，相反地，由于电位势的相互作用，硅片表面的粗糙程度将变得更差。

与SCⅠ洗液中H2O2的分解由金属催化不同，在SCⅡ洗液中的H2O2分解非常迅速，在80℃下，约20min左右，H2O2就已全部分解。只有在硅片表面含有金等其他贵重金属元素时，H2O2的存在才非常必需。

4、HF和DHF

作用:

去除硅表面氧化物，清洗后的表面形成Si-H键荷层。

配制方法:

40%HF与去离子水(DI Water)以1:10-1:1000比例混合。当比例为1:50-1:1000时，溶液又成为DHF。

清洗方法:室温条件下，将硅片置于酸液中浸泡1至数分钟。

5、DI Water (De-lonized Water Rinse)

作用:

在常规RCA清洗过程中，在室温下，利用超净高阻的DI Water对硅片进行冲洗是十分重要的步骤。

在常规RCA清洗过程中，在前一个步骤完成后，进行第二个步骤前都需要用去离子水对硅片进行清洗，一个作用是冲洗硅片表面已经脱附的杂质，另外一个作用是冲洗掉硅片表面的残余洗液，防止对接下来的洗液产生负面影响。

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美能3D显微镜ME-PT3000是一款高速共聚焦扫描显微镜 ，可用于精确可靠的3维(3D)测量。通过快速光学扫描模块和信号处理算法可实现实时共聚焦显微图像。

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不同的化学清洗剂对应着不同的效果，只有准确掌握它们的配比和作用，才能制出更好的电池片。「美能光伏」期待和大家一起学习更好的电池工艺。