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叉指背接触IBC电池通过改进钝化与减反射技术,提高电池效率到25.2%

IBC太阳能电池凭借其背接触设计(电极全部位于电池背面),消除了正面金属栅线导致的遮光损失,从而提高了光吸收效率。然而,其制造过程复杂且成本高昂,主要技术挑战在于实现有效的表面钝化和相关参数的精细化优化。本研究利用Quokka3模拟软件,系统分析了晶体硅(c-Si)体寿命晶圆电阻率背面硼掺杂层方块电阻复合电流密度(J等关键参数对电池性能的影响规律。美能四探针电阻测试仪可以对电池样品进行快速、自动的扫描,获得样品不同位置的方阻/电阻率分布信息


研究方法

本研究基于Quokka3软件对IBC电池结构进行模拟。模拟电池采用n型晶体硅(c-Si)晶圆作为基底。电池正面覆盖钝化层减反射层(ARC)以优化光子捕获并最小化损失。电池背面设计有p⁺型发射极(Emitter)和n⁺型背表面场(BSF),两者交错排列且无物理隔离区,以增强电学连续性。优化的背面钝化/减反射层以及电极设计进一步降低了复合损失。

 IBC太阳能电池结构示意图

IBC太阳能电池结构示意图

关键模拟参数包括:

电池厚度150 μm

晶圆电阻率0.6–1.8 Ω·cm

体寿命SRH电子/空穴寿命):1–5 ms

发射极方块电阻100–500 Ω/sq

BSF方块电阻35 Ω/sq

前表面钝化复合电流密度J₀1–60 fA/cm²

后表面钝化复合电流密度J₀1–60 fA/cm²

发射极/BSF接触电阻2×10⁻⁵ Ω·cm²


 c-Si体寿命和晶圆电阻率的影响

IBC太阳能电池电学参数随n型c-Si硅片体寿命变化的仿真结果 

IBC太阳能电池电学参数随n型c-Si硅片体寿命变化的仿真结果

延长c-Si体寿命1-5ms)显著提升VocJscFF和η。体寿命延长直接降低了载流子复合率,从而减小了饱和电流密度I₀,导致Voc升高。同时,载流子扩散长度增加提高了光生载流子的收集效率,进而提升JscFF。模拟结果表明,当体寿命达到5 ms时,电池效率η最高可达24.64%,充分证明了高品质硅材料对电池性能及可靠性的关键作用。

IBC太阳能电池电学参数随n型c-Si硅片电阻率变化的仿真结果 

IBC太阳能电池电学参数随n型c-Si硅片电阻率变化的仿真结果

晶圆电阻率变化0.6–1.8 Ω·cm)对电池性能的影响呈现非线性特征。在0.6–1.2 Ω·cm范围内,随着电阻率升高,VocJsc呈现上升趋势。这主要因为较高的电阻率拓宽了pn结耗尽区宽度,有利于降低体区复合损失,并增强了长波长光子的吸收。当电阻率超过1.2 Ω·cm后,串联电阻增加导致FF下降,效率在达到峰值后开始降低。模拟结果显示,电阻率为1.2 Ω·cm时电池效率达到峰值24.65%,表明优化晶圆电阻率是平衡材料导电性与复合损失的关键。


背面硼掺杂层方块电阻的影响

后硼方块电阻(Rsh)对IBC太阳能电池FF与η影响的Quokka3仿真结果 

后硼方块电阻(Rsh)对IBC太阳能电池FF与η影响的Quokka3仿真结果

模拟结果显示,背面硼掺杂层方块电阻Rₛₕ的增加会导致FF轻微下降和转换效率η降低。这主要是由于Rₛₕ升高增大了电池的串联电阻,阻碍了载流子的有效收集和传输,导致I-V曲线“方形度”变差。值得注意的是,开路电压Voc 和短路电流密度Jsc基本不受Rₛₕ变化的影响,因为它们分别由材料的带隙和光吸收能力决定。这突显了背面发射极特性FF的显著影响,优化硼掺杂浓度以平衡导电性和复合至关重要。


复合电流密度J₀对钝化效果的影响

Quokka3仿真的前表面钝化层复合电流密度(J₀)对IBC电池电学参数的影响 

Quokka3仿真的前表面钝化层复合电流密度(J₀)对IBC电池电学参数的影响

前表面复合电流密度J₀的增大会导致VocJscFF和η全面下降。较高的J₀值意味着前表面复合加剧,减少了可用于收集的光生载流子数量,并劣化了I-V曲线特性。模拟数据表明,当J₀超过约30 fA/cm²时,效率开始显著下滑,这强调了在正面应用高质量钝化层的必要性。

Quokka3仿真的后表面钝化层复合电流密度(J₀)对IBC电池电学参数的影响 

Quokka3仿真的后表面钝化层复合电流密度(J₀)对IBC电池电学参数的影响

背面复合电流密度J₀的增大同样会降低VocJscFF和η。对于IBC电池,由于所有载流子收集均通过背面接触完成,背面钝化质量J₀的影响尤为关键。背面J₀升高直接增加了在pn结弯曲区域的复合损失,显著劣化VocFF。采用选择性钝化技术(例如在p⁺发射极上使用AlO,在n BSF上使用SiO)可以有效降低复合并提升Voc,但pn结区域的设计和钝化仍是影响伪填充因子(pFF)的敏感因素。


发射极覆盖与后硼片电阻的交互

后硼方块电阻与覆盖率对IBC电池参数的联合影响仿真 

后硼方块电阻与覆盖率对IBC电池参数的联合影响仿真

发射极覆盖率背面硼方块电阻 的协同优化是实现峰值效率的核心。模拟结果表明,当发射极覆盖率约为40%且背面硼方块电阻Rₛₕ = 100 Ω/sq时,电池性能达到最佳:Voc = 719.2 mV, Jsc = 41.66 mA/cm², FF = 84.71%, 转换效率η = 25.2%。此优化点有效平衡了接触区复合损失和电阻损失。当覆盖率低于40%时,电流聚集效应导致损失显著增加;当覆盖率高于40%时,大面积钝化表面的复合损失开始主导,抵消了低接触电阻带来的益处。

本文系统研究了IBC太阳能电池钝化减反射技术优化,通过Quokka3模拟揭示了c-Si体寿命方块电阻和J₀的精细化调控对效率的提升机制。首次整合体寿命电阻率背面方块电阻发射极覆盖的交互效应,实现25.2%的峰值效率,为行业设立新基准。


美能四探针电阻测试仪

美能四探针电阻测试仪联系电话:400 008 6690 

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美能四探针电阻测试仪可以对最大230mm的样品进行快速、自动的扫描,获得样品不同位置的方阻/电阻率分布信息,可广泛应用于光伏、半导体、合金、陶瓷等诸多领域。

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✔ 全自动多点扫描,多种预设方案亦可自定义调节

✔ 快速材料表征,可自动执行校正因子计算

美能四探针电阻测试仪是获取IBC电池核心电学参数的核心实验设备,其作用贯穿材料筛选、工艺监控及性能验证全流程,支撑25.2%效率优化点的实验复现,其数据直接决定了研究结论的可靠性和产业落地价值。

原文参考:Improved passivation and antirefection techniques for higherefciency Interdigitated Back Contact (IBC) solar cells

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